Photoionisation aus Verbindungs-Halbleitern
Prinzip: 1. Polarisation durch selektive Anregung im Halbleiter 2. Darauffolgende Emission
Verwendete Materialien: III-V-Verbindungen (GaAs), II-IV-V2-Verbindungen - Chalkopyrite (CdSiAs2) Deformierte Kristallschichten Supergitter uvm.
Lebensdauer einer Kathode